10n65场效应管参数,KIA10N65H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
10n65场效应管参数,KIA10N65H引脚图
KIA10N65H场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低导通电阻，低栅极电荷(典型48nC)，有效降低开关损耗，提升效率；具有快速交换功能、指定的雪崩能量以及改进的DV/DT功能，稳定可靠，提高开关响应速度，可以替代10n65型号应用在高压、高速功率开关应用中，如高效开关电源、LED驱动、储能电源；封装形式：TO-220F。
10n65场效应管参数,KIA10N65H参数
漏源电压：650V
漏极电流：10A
漏源通态电阻：0.65Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：40A
雪崩能量单脉冲：709MJ
功率耗散：52W
总栅极电荷：48nC
输入电容：1650PF
输出电容：1665PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：140nS
上升时间：70ns
下降时间：80ns
10n65场效应管参数,KIA10N65H规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
