nmos导通条件电流流向,nmos导通电压-KIA MOS管
mos管导通条件
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）。
PMOS的特性，Vsg大于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
mos管的工作区域
NMOS的电流流向和导通条件
电流流向：
NMOS的电流流向是从源极（S）到漏极（D）。当正向偏置电压施加在栅极（G）和源极之间时，电流从源极流向漏极，即S-D。
导通条件：
NMOS的导通条件是当栅极和源极之间的电压（Vgs）大于或等于阈值电压（Vth）时。阈值电压是一个特定的电压值，它决定了MOSFET是否导通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMOS就会导通。此时，栅极和漏极之间的电压（Vgd）可以是正值或零。
PMOS的电流流向和导通条件
电流流向：
PMOS的电流流向是从漏极（D）到源极（S）。当负向偏置电压施加在栅极（G）和源极之间时，电流从漏极流向源极，即D-S。
导通条件：
PMOS的导通条件是当栅极和源极之间的电压（Vgs）小于或等于阈值电压（Vth）时。阈值电压是一个特定的电压值，它决定了MOSFET是否导通。一旦Vgs小于或等于Vth，PMOS就会导通。此时，栅极和漏极之间的电压（Vgd）可以是负值或零。
对于NMOS：
- 阈值电压（Vth）：通常在0.2V到0.7V之间，具体取决于器件的尺寸和工艺。
- 电流流向：从源极到漏极（S到D）。
对于PMOS：
- 阈值电压（Vth）：通常在-0.2V到-0.7V之间，具体取决于器件的尺寸和工艺。
- 电流流向：从漏极到源极（D到S）。
说明：阈值电压影响因素：衬底掺杂浓度，金属半导体功函数，栅氧化层电容，关于衬底偏置效应等。
NMOS和PMOS两者的衬底浓度不为相同，然而，衬底浓度越大，对应MOS管的阈值电压也越大，所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些。
NMOS管的导通特性
NMOS是栅极高电平|VGS| > Vt(G电位比S电位高)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。|VGS| > Vt(G电位比S电位低)导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。
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