6n70参数及代换,6n70kl引脚参数,KIA6N70H场效应管-KIA MOS管
6n70参数及代换,KIA6N70H场效应管
KIA6N70H场效应管可以替代6n70型号应用在高效开关电源、LED驱动、电机驱动中,漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A,RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V,最大限度地减少导通电阻,低栅电荷(典型16NC),提供卓越的开关性能;具有高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、dv/dt能力,能够承受高能脉冲的雪崩和换向模式;多种封装形式:TO-251、TO-252、TO-220F。
6n70参数及代换,KIA6N70H场效应管参数
漏源电压:700V
漏极电流:5.8A
漏源通态电阻(RDS(on)):1.8Ω
栅源电压:±30V
脉冲漏电流:20A
雪崩能量单脉冲:150MJ
最大功耗:95/48W
输入电容:650PF
输出电容:95PF
总栅极电荷:16nC
开通延迟时间:30nS
关断延迟时间:80nS
上升时间:40ns
下降时间:40ns
6n70参数及代换,KIA6N70H场效应管规格书
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