3n80场效应管,KIA3N80H参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
3n80场效应管,KIA3N80H参数引脚图
KIA3N80H场效应管漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，在开启状态下静态电阻RDS为4.8Ω，具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保快速的响应速度；具有高坚固性，在各种情况下可靠工作；改进的dv/dt能力，有效降低开关时的干扰。KIA3N80H可以替代3n80型号应用在开关电源、LED驱动、开关转换器、电机驱动器中；封装形式：TO-220F。
3n80场效应管,KIA3N80H参数
漏源电压：800V
漏极电流：3.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：4.8Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：12A
雪崩能量单脉冲：320MJ
最大功耗：39W
输入电容：543PF
输出电容：54PF
总栅极电荷：13nC
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：22.5nS
上升时间：43.5ns
下降时间：32ns
3n80场效应管,KIA3N80H参数规格书
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