80n04场效应管参数,KND3404C代换,参数引脚图-KIA MOS管
80n04场效应管参数,KND3404C参数引脚图
KND3404C场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，可以替代80n04型号应用在锂电池保护板、同步降压转换器中；漏源击穿电压40V，漏极电流80A，低导通电阻RDS（ON）=5.0mΩ@VGS=10V，出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；还具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可靠；封装形式： TO-252。
80n04场效应管参数,KND3404C参数
漏源电压：40V
漏极电流：80A
漏源通态电阻：5.0mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：150A
雪崩能量单脉冲：110MJ
功率耗散：52.1W
总栅极电荷：28nC
输入电容：3330PF
输出电容：270PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：84nS
上升时间：11.5ns
下降时间：8.5ns
80n04场效应管参数,KND3404C规格书
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
