150n04参数,150A 40V参数代换,KNX2804A场效应管保护板-KIA MOS管
150n04参数,KNX2804A场效应管
KNX2804A场效应管采用专有新型沟槽技术，漏源击穿电压40V，漏极电流150A，RDS（ON）=3.0mΩ@VGS=10V，极低的导通电阻RDS，以及低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，实现高效的电路控制；KNX2804A可以替代150n04型号应用在锂电池保护板、DC/DC转换器、同步整流、UPS逆变器中；封装形式：TO-220、TO-252。
150n04参数,KNX2804A场效应管参数
漏源电压：40V
漏极电流：150A
漏源通态电阻：3.0mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：600A
雪崩能量单脉冲：240MJ
功率耗散：164/300W
总栅极电荷：75nC
输入电容：5000PF
输出电容：790PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：50nS
上升时间：66ns
下降时间：30ns
150n04参数,KNX2804A场效应管规格书
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