nce6080k参数,nce6080k代换,KND3306B场效应管,中文资料-KIA MOS管
nce6080k参数,nce6080k代换,KND3306B场效应管,中文资料-KIA MOS管
nce6080k参数,KND3306B场效应管
KND3306B场效应管可以替代nce6080型号在无刷电机、锂电池保护板、逆变器领域应用,漏源击穿电压68V,漏极电流80A,RDS(on)=7mΩ@VGS=10V,低导通电阻、高雪崩电流,最大限度地减少导电损耗,最小化开关损耗;开关速度快、耐冲击特性好、提供无铅绿色设备,稳定可靠;封装形式:TO-252。
nce6080k参数,KND3306B场效应管参数
漏源电压:68V
漏极电流:80A
漏源通态电阻:7mΩ
栅源电压:±25V
脉冲漏电流:280A
雪崩能量单脉冲:400MJ
功率耗散:84.5W
总栅极电荷:104nC
输入电容:3080PF
输出电容:400PF
开通延迟时间:14nS
关断延迟时间:20nS
上升时间:13ns
下降时间:7.5ns
nce6080k参数,KND3306B场效应管规格书
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。