广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

irfp3206场效应管参数,KNP1906B代换,参数引脚图-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-09-20 

分享到:

irfp3206场效应管参数,KNP1906B代换,参数引脚图-KIA MOS管


irfp3206场效应管参数,KNP1906B资料

KNP1906B场效应管可以替代irfp3206型号应用在光伏逆变器、锂电池保护板中,漏源击穿电压60V,漏极电流230A,RDS(开)在VGS=10V时为2.7mΩ,低RDS最大限度地减少导电损耗,提高整体效率;高雪崩电流,在高压工作下稳定可靠;采用无铅和绿色材料制造,符合环保要求;封装形式:TO-220、TO-263。

irfp3206场效应管参数,KNP1906B

irfp3206场效应管参数,KNP1906B参数

漏源电压:60V

漏极电流:230A

漏源通态电阻(RDS(on)):2.7mΩ

栅源电压:±25V

脉冲漏电流:880A

雪崩能量单脉冲:800MJ

总功耗:200W

总栅极电荷:742nC

输入电容:6110PF

输出电容:1020PF

开通延迟时间:20nS

关断延迟时间:75nS

上升时间:11ns

下降时间:65ns


irfp3206场效应管参数,KNP1906B规格书

irfp3206场效应管参数,KNP1906B

irfp3206场效应管参数,KNP1906B



联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。