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场效应管参数对照表,场效应管参数查询-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-09-24 

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场效应管参数对照表,场效应管参数查询-KIA MOS管


场效应管主要参数

最大额定参数:包括最大漏-源电压(VDSS)、最大栅源电压(VGS)等。

最大漏-源电压(VDSS):在栅源短接时,漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。

最大栅源电压(VGS):栅源两极间可以施加的最大电压,防止电压过高导致的栅氧化层损伤。

连续漏电流(ID):在最大额定结温下,管表面温度在25℃或更高温度下,可允许的最大连续直流电流。

脉冲漏极电流(IDM):反映器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。

场效应管参数对照,查询

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场效应管参数对照表

参数:额定电压 - VR (Voltage Rating)MOSFET的最大允许电压。

参数:额定电流 - IR (Current Rating)MOSFET在正常工作条件下能够承受的最大电流。

参数:导通电阻 - RON (On-Resistance)MOSFET在导通状态下,源极和漏极之间的电阻值。导通电阻的大小直接影响MOSFET的功耗和发热。

参数:开关速度 - TON, TOFF (Switching Time)MOSFET的开关转换时间,包括开启时间和关闭时间。开关速度对于高频应用至关重要。

参数:阈值电压 - VTH (Threshold Voltage)MOSFET开始导通的最低电压。阈值电压越低,器件的开关速度越快。

参数:雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)MOSFET在雪崩效应发生时能够承受的电流和电压能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。

参数:结温 - TJ (Junction Temperature)MOSFET内部芯片的最高工作温度。结温过高可能导致器件性能下降或损坏。

参数:输入电容 - Ciss, Cgs (Input Capacitance)MOSFET栅极与源极之间的电容。输入电容的大小影响开关速度和驱动能力。参数:输入电容 - Ciss, Cgs (Input Capacitance)

参数:输出电容 - Coss, Cds (Output Capacitance)MOSFET漏极与源极之间的电容。输出电容的大小影响开关速度和驱动能力。

参数:反向传输电容 - Crss, Cgd (Reverse Transfer Capacitance)MOSFET栅极与漏极之间的电容。反向传输电容的大小影响开关速度和信号质量。

漏源电压(VDS):MOSFET的漏极和源极之间的电压。漏源电压是MOSFET能够承受的最大电压,超过此电压可能导致器件损坏。

漏源电流(IDS):流过MOSFET漏极和源极之间的电流。漏源电流的大小直接影响MOSFET的功耗和发热。

栅源电压(VGS):加在MOSFET栅极和源极之间的电压。栅源电压控制MOSFET的开关状态,从而影响漏源电流的通断。

驱动电压(VDRV):驱动电路提供的电压,用于控制MOSFET的栅源电压。驱动电压的大小和稳定性影响MOSFET的开关性能和可靠性。

动态电阻(Ron):在导通状态下,MOSFET的漏源电阻随漏源电流的变化而变化。动态电阻越小,表示MOSFET的导电性能越好。

反向传输电容(Cgd):MOSFET的栅极和漏极之间的电容。反向传输电容的大小影响开关速度和信号质量。

导通电阻(Ron):是指当MOSFET处于导通状态时,从源极到漏极的导通电阻。导通电阻越小,表示MOSFET在导通状态下有更好的导电能力,能够传输更大的电流,也能提供更低的功耗。

泄漏电流(Igss):是指MOSFET在关闭状态下的漏电流。泄漏电流应尽可能小,以确保在关闭状态下无功率损失。

阈值电压(Vth):是指MOSFET开始导通的电压。

最大漏源电流(ID):是指MOSFET正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。

最大脉冲漏源电流(IDM):此参数会随结温度的上升而有所减额。

最大栅源电压(VGS):是指MOSFET正常工作时,加在栅极和源极之间的最大电压。

漏源击穿电压(V(BR)DSS):是指栅源电压VGS为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

开启电压(VGS(th)):当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中,常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

耗散功率(PD):是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

最大工作结温(Tj):通常为150℃或175℃,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量。


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