3502场效应管,20v70a场效应管,KND3502A参数,中文资料-KIA MOS管
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3502场效应管,20v70a场效应管参数引脚图
KND3502A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流70A，RDS(on)=7mΩ(typ.) @ VDS=4.5V，提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V，具有高功率和电流处理能力、无铅产品、表面贴装封装，性能稳定可靠；在蓄电池保护、负载开关、电源管理中热销，是2串保护板的专用料(低启1.8V)；封装形式：TO-252。
3502场效应管,20v70a场效应管参数
漏源极电压：20V
漏极电流：70A
栅源电压：±12V
脉冲漏电流：240A
雪崩能量单脉冲：340MJ
最大功耗：50W
栅极阈值电压：0.65V
输入电容：1800PF
输出电容：200PF
开通延迟时间：5.3nS
关断延迟时间：64nS
上升时间：75.4ns
下降时间：62ns
3502场效应管,20v70a场效应管规格书
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