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保护板专用mos管,40v100a,KND3204A场效应管参数引脚图-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-09-27 

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保护板专用mos管,40v100a,KND3204A场效应管参数引脚图-KIA MOS管


保护板专用mos管,KND3204A参数引脚图

KND3204A场效应管采用专有新型沟槽技术,漏源电压40V,漏极电流100A,锂电池保护板专用MOS管,RDS(ON),典型值=VGS=10V时为4mΩ(典型值),极低导通电阻减少导通损耗,低栅极电荷最小化开关损耗快速恢复体二极管,提高稳定性和可靠性封装形式:TO-252。

保护板专用mos管,KND3204A

保护板专用mos管,KND3204A参数

漏源电压:40V

漏极电流:100A

漏源通态电阻:4mΩ

栅源电压:±20V

脉冲漏电流:480A

雪崩能量单脉冲:500MJ

功率耗散:137W

总栅极电荷:51nC

输入电容:3000PF

输出电容:425PF

开通延迟时间:15nS

关断延迟时间:75nS

上升时间:60ns

下降时间:40ns


保护板专用mos管,KND3204A规格书

保护板专用mos管,KND3204A

保护板专用mos管,KND3204A


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