锂电池保护板,85v100aMOS管,KNB3208A场效应管参数-KIA MOS管
85v100aMOS管,KNB3208A参数引脚图
KNB3208A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用专有新沟槽技术，超低电阻减少导电损耗，最小化开关损耗；低门电荷、快恢复体二极管提供卓越性能，稳定可靠；是10串-16串锂电池保护板专用MOS管；封装形式：TO-263。
85v100aMOS管,KNB3208A参数
漏源电压:85V
连续漏极电流:100A
输入电容：3420pF
输出电容：400pF
反向转移电容：120pF
栅极串联电阻：2.0Ω
脉冲源电流:400A
脉冲雪崩能量:612MJ
最大功耗：224W
阈值电压：2.0V
开通延迟时间：22nS
关断延迟时间：100nS
上升时间：24ns
下降时间：32ns
85v100aMOS管,KNB3208A规格书
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