80v 80a代替,保护板mos管,KNB3308B场效应管参数-KIA MOS管
80v 80a代替,KNB3308B场效应管
KNB3308B是一款10-16串保护板专用MOS管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ，低导通电阻最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，确保锂电池保护板的性能稳定可靠；此外，它还具有高雪崩电流，能够应对各种复杂的应用场景，采用无铅绿色设备，符合环保要求，在电源和DC-DC转换器等应用中，能够有效地提供稳定而高效的功率转换，满足不同需求；封装形式：TO-263。
80v 80a代替,KNB3308B场效应管参数
漏源极电压：80V
漏极电流：80A
漏源通态电阻：7.2mΩ
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：320A
雪崩能量单脉冲：440MJ
最大功耗：210W
总栅极电荷：75nC
输入电容：3650PF
输出电容：420PF
开通延迟时间：21nS
关断延迟时间：66nS
上升时间：64ns
下降时间：40ns
80v 80a代替,KNB3308B场效应管规格书
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