电机驱动mos管,KIA35P10AD场效应管参数,TO-252-KIA MOS管
电机驱动mos管,KIA35P10AD参数引脚图
KIA35P10AD场效应管采用先进的沟槽MOSFET技术，在电机控制和驱动、电池管理、UPS不间断电源中热销，漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ，RDS（ON）值为32mΩ，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；优秀的QgxRDS（on）产品（FOM），提供卓越的开关性能，符合JEDEC标准，性能稳定可靠；封装形式：TO-252。
电机驱动mos管,KIA35P10AD参数
工作方式：-35A/ -100V
栅源电压：±20V
脉冲漏电流:-135A
单脉冲雪崩能量:95mJ
最大功耗：94W
操作和储存温度范围：-55℃至+150℃
漏源击穿电压：-100V
栅源漏电流:±100nA
输入电容：5700pF
输出电容：170pF
电机驱动mos管,KIA35P10AD规格书
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