MOS管驱动电机电路,电机正反转电路分享-KIA MOS管
MOS管驱动电机电路图
驱动电路采用Totem输出结构设计，上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容，Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。
电路设计思想：利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而在输出低电平时，下拉驱动管本身就工作在线性区，可以保证输出低电平位GND。因此无需增加自举电路也能达到设计要求。
mos管驱动电机正反转电路
驱动方案是双继电器+NMOS的驱动方式，选取的继电器是一款SPDT（单刀双掷）继电器。
1、当DO1为低电平（0V）、DO2为高电平时（5V）、同时PWM1端输入10V左右的直流电压时（MOS管导通），继电器K1动作(接点A2与A1接通)。K2不动作（接点B2仍与B3接通），回路中的电流从A1-A2-负载电机端-B2-B3-MOS管的D-S直到GND，电机正转。
2、反之，当DO1为高电平（5V）、DO2为低电平时（0V）、同时PWM1端输入10V左右的直流电压时（MOS管导通），继电器K1不动作(接点A2与A3接通)。K2动作（接点B2与B1接通），回路中的电流从B1-B2-负载电机端-A2-A3-MOS管的D-S直到GND，电机反转。
3、当DO1、DO2同为低电平（0V），且PWM1端输入低电平0V时（MOS管关断），电机停转，且电机通过B2-B3-A3-A2的电流回路释放电机停转瞬间产生的感应电流（电机为感性负载）。
4、当PWM1端输入的不是一个直流电压，而是幅值10V且占空比为0-100%的PWM脉冲时，可用于电机的调速控制。
注：
1、图中的D1、D2二极管作为继电器的线圈关断时，使感应电流形成泄放回路的保护器件；
2、MOS管G极的10R电阻用于调节MOS管的开通速度，电阻越大开通速度越慢，越小开通速度越快，MOS管GS端的10K电阻用于保证MOS在G级未给驱动的状态下，处于有效截止状态下，防止MOS管误触发。
器件选型：
1、继电器与MOS的选型需要参考电机的额定功率/容量，继电器的接点电压需要≥电机额定电压的1.2倍，接点电流需要≥电机额定电流的3倍；另MOS管的VDS至少需要≥电机额定电压的2倍，ID至少需要≥电机额定电电流的4-5倍(电机突然启动时，瞬间电流是约为额定电流的3倍左右)，在此基础上，选择RDS越小的MOS管，管子的发烫量会越低，价格会相对昂贵，需要综合评估。
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