三极管驱动mos管,三极管和MOS管驱动-KIA MOS管
三极管驱动mos管电路
可以用三极管直接驱动MOS吗？回答是：可以直接驱动。由于MOS场效应管是一种电压驱动器件，要想使其充分导通，要求其栅极驱动电压的幅度要足够大，而一些低压IC电路（譬如3.3V供电的单片机电路）输出幅度较小，直接用来驱动MOS场效应管，根本无法使管子完全导通。为解决此问题，常加一级双极型三极管驱动电路来驱动MOS场效应管，电路如图所示。
VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。为了能驱动MOS场效应管导通，电路中加了一级三极管电路，当VT1基极为5V高电平时，VT1导通，VT2截止;当VT1基极为低电平0V时，VT1截止，其集电极的10V电压(Rc上的压降几乎为零，可以忽略不计)直接加至VT2的G极(即栅极)，这样便可以使VT2获得足够的栅极电压而导通。
在用三极管驱动MOS场效应管时，需要注意MOS场效应管栅极所接电阻（即上图中的Rc）的取值。
三极管BJT驱动MOS管
受限于MOS管的驱动阈值，在许多的应用场景中无法直接使用MCU或者SOC的GPIO电平驱动MOS的导通与关断，此时需要在MOS的G极处增加一个栅极驱动电路，实现GPIO电平可以驱动MOS。
如图演示了PMOS的自驱效应，当PMOS的G极连接S极时，VGS=0V，PMOS便会自开启，那么如果在PMOS的G极与GND之间增加一道SW开关，那么就可以实现G极电位在GND和Vin之间切换，那么就可以通过SW来控制PMOS的开启与关闭。
将图1中的SW开关更换为三极管BJT，如图2 ，那么就是一个典型的BJT驱动高边PMOS的电路，其中C1，C2，Zener非必要。C1用做加速BJT打开，C2用做BJT快速关断，Zener用做VGS钳位，避免瞬时电压超过MOS的VGSmax耐压从而损坏MOS。
R1和R2在一条路径上可以调节分压，也即调整G极电位，Q2关断时，VG=VS，VGS=VG-VS=0V，Q1导通时，VG=Vin×{R2/(R1+R2)}，VS=Vin，那么VGS=Vin×{R2/(R1+R2)}-Vin。当R1很大，R2很小，VGS≈Vin，此时如果VGS接近或超过Q1的GS耐压值VGSS，会损坏PMOS，那么这时就可以调整R1，R2的比例，将导通时VGS值调整至-VGSS＜VGS＜VGSTHmin。
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