130A 100V场效应管,KNX2910B中文资料,mos管原厂-KIA MOS管
130A 100V场效应管,KNX2910B参数引脚图
KNX2910B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压100V, 漏极电流130A ，提供优异的Rdson，RDS（ON）值为9mΩ，超低导通电阻，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷，完全表征雪崩电压和电流，具有高EAS的良好稳定性和均匀性，性能稳定可靠；专用于电源切换、硬开关和高频电路、不间断电源；封装形式：TO-220、TO-263，散热良好。
130A 100V场效应管,KNX2910B参数
漏源电压：100V
漏极电流：130A
漏源通态电阻：9mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：520A
雪崩能量单脉冲：650.25MJ
功率耗散：211W
总栅极电荷：160nC
输入电容：7950PF
输出电容：460PF
开通延迟时间：24nS
关断延迟时间：92nS
上升时间：22ns
下降时间：42ns
130A 100V场效应管,KNX2910B规格书
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