单片机驱动mos管电路原理,电路图分享-KIA MOS管
单片机驱动mos管电路
单片机如何驱动MOS管？
常用的单片机一般分为5V单片机与3V单片机，单片机的IO口输出的高电平电压最高是可以接近电源电压的，但会比电源电压小一些。由于三极管是电流驱动型的元件，所以不需要太高的驱动电压就可以饱和导通，而对于MOS管来讲，根据不同型号参数的，导通电压会有差别，单片机IO能够输出的电压，对于大部分的MOS管来讲是达不到其导通条件的。
所以在单片机驱动MOS的电路中，通常会采用三极管作为前级驱动，由电源电压驱动MOS管开启，有些开启电压较高的MOS管，还会提高驱动电压，而不使用单片机的5V供电，比如12V、15V等等。
所以单片机不能直接驱动MOS管的主要原因是驱动能力的问题，单片机的IO输出的电压达不到MOS管的导通条件，或者达不到饱和导通的条件。
单片机驱动MOS管的电路原理主要是通过三极管作为中间级，来提高驱动能力和确保MOS管正常工作。单片机I/O口的电压通常较低，而MOS管需要较高的驱动电压才能达到饱和状态，因此直接驱动可能会导致MOS管不完全导通，内阻增大，从而产生过热问题。通过三极管作为中间级，可以有效提高驱动电压，确保MOS管正常工作。
单片机I/O口驱动MOS管的电路设计包括：
三极管驱动部分：单片机I/O口输出的低电平或高电平信号通过限流电阻连接到三极管的基极，三极管放大电流后驱动MOS管的栅极，从而控制MOS管的开关。
MOS管部分：MOS管的栅极通过三极管放大后的电流驱动，确保MOS管达到饱和状态，从而控制其源极和漏极之间的导通与关闭。
单片机驱动mos管电路图
单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么，继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。
如果驱动的东西（功率）很大，最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等，此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。
图：适合开关频率不高的场合，一般低于2KHz。
其中R1=10K，R2、R3大小由V+决定，V+越高，R2、R3越大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。
图：适合高频大功率场合，到达100KHz没问题，同时可以并联多个MOSFET-P管
R2、R3需要满足和图1一样的条件，其实就是图1加了级推挽，这样就可以保证MOSFET管高速开关，上面6P小电容是发射结结电容补偿电容，可以改善三极管高速开关特性。
另外：MOSFET的栅极电容较大，在使用的时候应该把它当成一个容抗负载来看。
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