广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

逆变器mos管,400v6a场效应管,KNP4540A参数资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-10-18 

分享到:

逆变器mos管,400v6a场效应管,KNP4540A参数资料-KIA MOS管


400v6a场效应管,KNP4540A参数引脚图

KNP4540A具有优异的性能和稳定性,是一款逆变器专用MOS管,漏源击穿电压400V,漏极电流6A,RDS(ON)值为0.8Ω,低栅极电荷最小化开关损耗,快速恢复体二极管,符合RoHS标准,优质可靠;KNP4540A场效应管广泛应用于适配器、充电器、SMPS备用电源等,封装形式:TO-220 ,散热良好。

400v6a场效应管,KNP4540A参数

400v6a场效应管,KNP4540A参数

漏源电压:400V

漏极电流:6A

漏源通态电阻:0.8Ω

栅源电压:±30V

脉冲漏电流:24A

雪崩能量单脉冲:200MJ

功率耗散:75W

总栅极电荷:14nC

输入电容:490PF

输出电容:63PF

开通延迟时间:8.1nS

关断延迟时间:26nS

上升时间:10.2ns

下降时间:14ns

400v6a场效应管,KNP4540A参数规格书

400v6a场效应管,KNP4540A参数

400v6a场效应管,KNP4540A参数


联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902


搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号

关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持

免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。