适配器充电器mos管,500V13A高压mos管,KNX6450B-KIA MOS管
充电器mos管,KNX6450B参数引脚图
KNX6450B是一款高压MOS管，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具备快速切换特性，实现快速切换电源，减少损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，确保器件工作高效低耗，稳定可靠；KNX6450B场效应管在适配器和充电器的电源开关电路中提供卓越的性能表现；封装形式：TO-220、TO-220F。
充电器mos管,KNX6450B参数
漏源电压：500V
漏极电流：13A
漏源通态电阻：0.35Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：52A
雪崩能量单脉冲：900MJ
功率耗散：150W
总栅极电荷：46nC
输入电容：2155PF
输出电容：25PF
开通延迟时间：16nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：26ns
下降时间：36ns
充电器mos管,KNX6450B参数规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
