结型场效应管偏置方式,JFET偏置电路-KIA MOS管
结型场效应管偏置方式
结型场效应管通常采用自偏置、分压偏置和电流源偏置等方式。其中，自偏置方式简单易行，但稳定性较差；分压偏置方式稳定性好，但电路复杂度较高；电流源偏置方式能够提供稳定的偏置电流，适用于高精度应用。
JFET偏置电路
固定直流偏置技术
在 N 沟道 JFET 的固定直流偏置技术中，JFET 的栅极以这样的方式连接，即 JFET 的 V GS始终保持负值。由于 JFET 的输入阻抗非常高，因此在输入信号中没有观察到负载效应。流过电阻器 R1 的电流保持为零。
当我们在输入电容器 C1 上施加交流信号时，信号出现在栅极上。现在，如果我们计算 R1 上的电压降，根据欧姆定律，它将是 V = I x R 或 V降= 栅极电流 x R1。由于流向栅极的电流为 0，因此栅极上的电压降保持为零。因此，通过这种偏置技术，我们可以通过改变固定电压来控制 JFET 漏极电流，从而改变 V GS。
自偏置技术
在自偏置技术中，在源极引脚上添加了一个电阻器。源极电阻器 R2 上的电压降产生 V GS以偏置电压。在这种技术中，栅极电流再次为零。源电压由相同的欧姆定律决定 V = I x R。因此源电压 = 漏极电流 x 源电阻。现在，可以通过栅极电压和源极电压之间的差异来确定栅极到源极电压。
由于栅极电压为 0（因为栅极电流为 0，根据 V = IR，栅极电压 = 栅极电流 x 栅极电阻 = 0）V GS = 0 – 栅极电流 x 源极电阻。因此不需要外部偏置源，偏置是由自身产生的。
分压器偏差
在这种技术中，使用了一个额外的电阻器，并且对自偏置技术的电路稍作修改，使用 R1 和 R2 的分压器为 JFET 提供所需的直流偏置。源电阻上的电压降需要大于电阻分压器的栅极电压。这样，V GS保持负值。
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