16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数,中文资料-KIA MOS管
16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数
KIA16N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流16A，出色的导通电阻RDS（ON）0.32Ω；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；在储能电源中广泛应用，提供卓越的开关性能；还热销于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器；封装形式：TO-220F、247、3P。
16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数
漏源电压：500V
漏极电流：16A
漏源通态电阻：0.32Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：64A
单脉冲雪崩能量：853MJ
功率耗散：205W
总栅极电荷：45nC
输入电容：2200PF
输出电容：350PF
开通延迟时间：50nS
关断延迟时间：90nS
上升时间：170ns
下降时间：80ns
16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管规格书
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