500v场效应管,储能电源逆变器mos管,KIA13N50H参数-KIA MOS管
500v场效应管,KIA13N50H参数引脚图
KIA13N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，导通电阻RDS（ON）0.4Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；13N50场效应管专用于500W逆变器后级电路，以及电子镇流器、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动；封装形式：TO-220、220F、263。
500v场效应管,KIA13N50H参数
漏源电压：500V
漏极电流：13A
漏源通态电阻：0.4Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：52A
单脉冲雪崩能量：860MJ
功率耗散：195W
总栅极电荷：44nC
输入电容：1600PF
输出电容：200PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：130nS
上升时间：100ns
下降时间：100ns
500v场效应管,KIA13N50H规格书
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