储能电源mos管,650v场效应管,KIA12N65H参数引脚图-KIA MOS管
650v场效应管,KIA12N65H参数引脚图
KIA12N65H场效应管漏源电压650V，漏极电流12A，导通电阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低栅极电荷（典型值52nC），最小化开关损耗，快速切换能力在电路中能够迅速响应信号变化，确保信号传输的准确性、雪崩能量规定和改进的dv/dt能力增强了稳定性及安全性；专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器；封装形式：TO-220F。
650v场效应管,KIA12N65H参数
漏源电压：650V
漏极电流：12A
漏源通态电阻：0.63Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
总栅极电荷：52nC
输入电容：1850 PF
输出电容：180 PF
开通延迟时间：30nS
关断延迟时间：140nS
上升时间：90ns
下降时间：90ns
650v场效应管,KIA12N65H规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
