nmos工作原理示意图,nmos原理图-KIA MOS管
nmos工作原理
NMOS（n沟道金属氧化物半导体）是一种在栅极区使用n型掺杂剂的晶体管。栅极端子上的正 (+ve) 电压会打开器件。主要用于CMOS（互补金属氧化物半导体）设计以及逻辑和存储芯片。与 PMOS 晶体管相比，该晶体管速度非常快，因此可以在单个芯片上放置更多晶体管。
NMOS晶体管符号如下所示：
NMOS工作原理：
当NMOS晶体管接收到不可忽略的电压时，它会形成闭合电路，这意味着从源极端子到漏极的连接就像电线一样。因此电流从栅极流向源极。类似地，当该晶体管接收到约0V的电压时，它会形成开路，这意味着源极端子到漏极的连接将断开，因此电流从栅极端子流到漏极。
nmos结构图：
当gs之间存在正压差时，靠近氧化硅侧就会聚集电子，形成导通。
NMOS晶体管由两个n型半导体区域构成p型体，这两个n型半导体区域与栅极相邻，称为源极和漏极。该晶体管具有控制源极和漏极端子之间的电子流的控制栅极。
由于晶体管的主体接地，因此源极和漏极朝向主体的PN结被反向偏置。如果栅极端子处的电压增加，电场将开始增加并将自由电子吸引到 Si-SiO2 界面的底部。
一旦电压足够高，电子最终会填充所有空穴，并且栅极下方的一个薄区域（称为沟道）将反转，成为 n 型半导体。这将通过允许电流流动来创建从源极端子到漏极的导电通道，因此晶体管将导通。如果栅极端子接地，则反向偏置结中没有电流流动，因此晶体管将关闭。
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