储能电源场效应管,650vmos管,KIA65R190FS参数规格书-KIA MOS管
650vmos管,KIA65R190FS参数引脚图
KIA65R190FS场效应管漏源电压650V，漏极电流20A，导通电阻RDS（ON）0.16Ω，低栅极电荷（典型值70nC），具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能增强了稳定性及安全性；65R190mos管专为高压、高速功率开关电源应用设计，采用了先进的超级结技术，最大限度地减少传导损耗，提高开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；封装形式：TO-220F。
650vmos管,KIA65R190FS参数
漏源电压：650V
漏极电流：20A
漏源通态电阻：0.16Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：62A
单脉冲雪崩能量：485MJ
功率耗散：35W
总栅极电荷：70nC
输入电容：1440PF
输出电容：300PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：70nS
上升时间：55ns
下降时间：40ns
650vmos管,KIA65R190FS参数规格书
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