mos管的传输特性,传输特性曲线介绍-KIA MOS管

mos管的传输特性

MOS管（场效应晶体管）主要有两种类型：增强型和耗尽型。增强型MOS管在Ugs电压为零时，ids=0，即管子完全截止，没有漏电流；而耗尽型MOS管在Ugs电压为零时，ids≠0，即管子不完全截止，有漏电流。

增强型和耗尽型MOS管的特性差异

增强型MOS管在Ugs电压为零时，ids=0，即管子完全截止，没有漏电流。这种类型的MOS管在关闭状态下能够完全阻断电流，适用于需要完全关闭的电路中。相比之下，耗尽型MOS管在Ugs电压为零时，ids≠0，即管子不完全截止，有漏电流。这种类型的MOS管在关闭状态下仍有微小的电流流动，适用于需要持续微小电流的电路中。

MOS管的开启电压、直流输入电阻和漏源击穿电压等特性

开启电压（VT）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压。标准的N沟道MOS管的开启电压约为3～6V，通过工艺改进可以使VT值降到2～3V。

直流输入电阻（RGS）：在栅源极之间加的电压与栅极电流之比。MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

漏源击穿电压（BVDS）：在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS。这个参数决定了MOS管能够承受的最大漏源电压，超过此电压可能会导致器件损坏。

增强型NMOS管输入输出特性曲线

输出特性曲线

开启电压 -＞ Ugs(th)

预夹断轨迹 -＞ Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -＞ Uds = Ugs - Ugs(th)

1、夹断区： Ugs ＜ Ugs(th)，此时ld = 0

2、可变电阻区： Ugs＞=Ugs(th)，Uds ＜(Ugs - Ugs(th))，此时ld随Uds的增大而增大

3、恒流区： Ugs＞=Ugs(th)，Uds ＞= (Ugs - Ugs(th))，此时ld大小仅仅取决于Ugs

输入特性曲线

Ugs ＜ Ugs(th)时，ld = 0

Ugs ＞ Ugs(th)时，Uds为一常量时，Ugs越大，ld越大

增强型NMOS管应用说明

实际应用时，NMOS管常作低端驱动（下管）与开关使用，此时，MOS管工作在夹断区与可变电阻区。

夹断区， ld=0，此时，功率P=ld * Uds=0

可变电阻区，Uds相对很小，功率P=ld*Uds相对也很小

增强型PMOS管输入输出特性曲线

输出特性曲线

开启电压： Ugs(th)，为负压

预夹断轨迹： Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -＞ Uds = Ugs - Ugs(th)

1、夹断区： lUgs| ＜ lUgs(th)|，此时 ld = 0

2、可变电阻区：|Ugs ＞= |Ugs(th)|，|Udsl ＜ (Ugs - Ugs(th)，此时ld随Uds的增大而增大

3、恒流区： |Ugs| ＞= lUgs(th)，|Udsl ＞ = (Ugs - Ugs(th))，此时ld大小仅仅取决于Ugs

输入特性曲线

lUgsl ＜ |Ugs(th)|时，ld = 0

lUgsl ＞ |Ugs(th)|时，Uds为一常量时，|Ugs|越大，ld越大

增强型PMOS管应用说明

实际应用时，PMOS管常作高端驱动与开关使用，此时，PMOS管工作在夹断区与可变电阻区。

夹断区，ld=0，此时，功率P=ld * Uds = 0

可变电阻区，Uds相对很小，功率P=ld*Uds相对也很小。

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