mos管不能完全关断原因,mos管关不断解决-KIA MOS管

mos管关不断原因

mos管不能完全关断可能由多种原因造成，如驱动电压不足、栅极电阻过大、温度过高等。

漏电流：MOSFET存在漏电流，即使是在关断状态下，仍然会有微小的电流流过，导致无法完全关断。

负载影响：后端负载的静态功耗很低时，MOSFET的漏电流会在负载上产生电压，导致无法完全关断。

栅极电容影响：MOS管的栅极和源极之间存在结电容，如果驱动电流不足以快速充电或放电，会导致开关速度慢，影响关断效果。

栅极电压不足：栅极电压不足或不稳定也会导致MOSFET无法完全关断。

驱动电路设计不合理：如果驱动电路设计不当，可能导致无法在短时间内将栅源电压（Vgs）降低到关断阈值以下，从而无法关断MOS管。

mos管不能完全关断的一些解决方法

检查驱动电压：

确保MOS管的栅极驱动电压达到或超过其规格书中指定的阈值电压（VGS（th））。如果驱动电压不足，MOS管可能无法完全关闭。

如果使用的是逻辑电平驱动的MOS管，确保逻辑信号在关闭时能达到低电平标准（如OV或接近OV）。

调整栅极电阻：

栅极电阻的大小会影响MOS管的开关速度。如果栅极电阻过大，可能导致MOS管关闭速度变慢或无法完全关闭。适当减小栅极电阻可能有助于改善情况。

增加负载电阻：在MOS管的输出端增加合适的负载电阻，确保在关断时能够形成足够的分压，从而使测量到的电压表现为关断状态。

检查温度：

MOS管的性能受温度影响。高温可能降低MOS管的阈值电压，使其更难关闭。确保MOS管工作在合适的温度范围内，并考虑使用散热片或风扇等散热措施。

检查漏源电压：

确保漏源电压（VDS）没有超过MOS管的额定电压。过高的漏源电压可能导致MOS管损坏或性能下降。

使用负偏置电压：

对于一些特殊的MOS管（如耗尽型MOS管），可能需要在栅极上施加负偏置电压以确保其完全关闭。查阅规格书以了解是否需要此措施。

检查外部电路：

有时MOS管关不断的问题可能并非由MOS管本身引起，而是由外部电路（如电源、负载等）引起。检查外部电路以确保其正常工作。

增加驱动能力：

如果驱动能力不足，也可能导致MOS管无法完全关闭。考虑使用更高驱动能力的驱动电路或驱动器。

使用隔离驱动：

在高噪声环境中，使用隔离驱动电路可以确保栅极驱动信号的纯净和稳定，从而改善MOS管的关闭性能。

检查PCB布局和走线：

不良的PCB布局和走线可能导致栅极驱动信号受到干扰或衰减，从而影响MOS管的关闭性能。优化PCB布局和走线可能有助于解决问题。

电源过压保护电路，PMOS无法关断案例

使用三极管、MOS管搭建输入电压过压保护电路，仿真电路的PMOS无法关断，仿真电路如下：

mos管关不断

以上电路按理当输入电压大于6.3V时，Q2应该会关断，可是在示波器中观察到的却是有7V输出；

在PMOS的输出接负载，可以关断。

分析：MOS管属于半导体电子开关，而非机械式开关，不可能做到电气隔离的效果，从其特性来看，即使导通，其导通电阻也与Vgs的大小有关，Vgs越大(绝对值)，其导通电阻越小。输出接负载电阻，肯定是与MOS管关断时具有的电阻，形成的分压，所以表现出关断；当不接负载电阻时，输出相当与开路，所以量测到的电压为输入电压，没有起到关断效果。由此单独量测当Vgs=0时，Rds两端的阻抗，发现其有6GΩ，如下：

mos管关不断