开漏Open-drain和推挽push-pull详解-KIA MOS管
开漏Open-Drain
开漏输出：输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻才行，适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强(一般20mA以内)。
栅极输入 0 时，NMOS 的漏极和源极导通，输出0。
栅极输入 1 时，NMOS 不导通，漏极高阻，输出1（需要外部上拉电路，上升沿比较缓慢）。
推挽Push-Pull
推挽输出：可以输出高,低电平,连接数字器件。
栅极输入 0 时，高侧PMOS 高阻，低侧NMOS导通，输出0。
栅极输入 1 时，高侧PMOS 导通，低侧NMOS高阻，输出1（不需要外部上拉电路，上升沿比较陡峭）。
Open-Drain开漏输出
1、原理
开漏电路是指以MOSFET的漏极为输出的电路，在内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET（Q1），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc决定。
Vcc可以大于输入高电平电压VCC (call UP-Translate)，也可以低于输入高电平电压VCC(call Down-Translate)，Open-Drain比push-pull少了个top transistor，只有bottom transistor。
就像push-pull中那样，当bottom transistor关闭，则输出为高电平，但此处没法输出高电平。
想要输出高电平，必须外部再接一个上拉电阻（pull-up resistor）。
Open-drain只能够漏电流（sink current），如果想要集电流（source current），则需要加一个上拉电阻。
2、优点
（1）对于各种电压节点间的电平转换非常有用，可以用于各种电压节点的Up-translate和Down-translate转换。
（2）可以将多个开漏输出的Pin脚，连接到一条线上，形成“与逻辑”关系，即“线与”功能，任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
（3）利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经pull-up resistor，MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。
（4）可以改变上拉电源的电压，改变传输电平，如图所示，IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
3、缺点
（1）开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平，如果要输出高电平，必需加上拉电阻。
（2）带了上拉电阻的线路，即使以最快的速度去提升电压，最快也要一个常量的R×C的时间。其中R是电阻，C是寄生电容(parasitic capacitance)，包括了pin脚的电容和板子的电容。
（3）当输出电平为低时，N沟道三极管是导通的，这样在Vcc和GND之间有一个持续的电流流过上拉电阻R和三极管Q1，这会影响整个系统的功耗。采用较大值的上拉电阻可以减小电流。但是大的阻值会使输出信号的上升时间变慢，即上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小，反之亦然。但上拉电阻不能太小，因为当输出为低电平的时候，需要sink更低的transistor，这意味着更高的功耗。
Push-Pull推挽输出
1、原理
输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET：当Q1导通、Q2截止时输出高电平；而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平。
Push-Pull输出，实际上内部是用了两个晶体管（transistor）：此处分别称为Top-Transistor和Bottom-Transistor。
通过开关对应的晶体管，输出对应的电平：
Top-Transistor打开，Bottom-Transistor关闭，输出为高电平；Bottom-Transistor打开，Top-Transistor关闭，输出低电平。
Push-pull即能够漏电流(sink current)，又可以集电流(source current)。
其也许有，也许没有另外一个状态：高阻抗（high impedance）状态。
除非Push-pull需要支持额外的高阻抗状态，否则不需要额外的上拉电阻。
2、优点
（1）可以吸电流，也可以贯电流；
（2）push-pull输出的优势是速度快，因为线路是以两种方式驱动的；
（3）和开漏输出相比，push－pull的高低电平由IC的电源决定，不能简单的做逻辑操作等。
3、缺点
（1）一条总线上只能有一个push-pull输出的器件；
（2）push-pull往往需要消耗更多的电流，即功耗相对大。
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