40n20参数,充电器专用mos管,KIA40N20AP场效应管现货-KIA MOS管
40n20参数,KIA40N20AP场效应管
无线充电器专用MOS管KIA40N20AP漏源击穿电压200V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(ON) =0.08Ω、低栅极电荷（典型值50nC），最小化开关损耗；具有快速切换能力、符合RoHS标准，稳定可靠，40n20场效应管高效率低损耗，适用于DC-DC转换器、UPS、DC-AC转换器以及逆变电路、安防、拉杆音箱、无线充电器等领域。封装形式：TO-220。
40n20参数,KIA40N20AP场效应管
漏源电压：200V
漏极电流：40A
漏源通态电阻：0.08Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：120A
单脉冲雪崩能量：800MJ
功率耗散：175W
总栅极电荷：50nC
输入电容：1560PF
输出电容：370PF
开通延迟时间：26nS
关断延迟时间：141nS
上升时间：32ns
下降时间：83ns
40n20参数,KIA40N20AP场效应管规格书
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