模电mos管,1200v3a,KND42120A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
1200v3a,KND42120A场效应管
KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具备高压和低导通电阻特性，提高系统效率；低导通电阻RDS(ON) 7Ω、低栅极电荷(17.5nC)最小化开关损耗；以及高速的响应能力提高切换速度，符合RoHS标准，快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，适用于适配器、充电器和SMPS备用电源等领域；封装形式：TO-252。
1200v3a,KND42120A场效应管参数
漏源电压：1200V
漏极电流：3A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：12A
雪崩能量单脉冲：100MJ
最大功耗：75W
输入电容：860PF
输出电容：60PF
开通延迟时间：17nS
关断延迟时间：23nS
上升时间：6ns
下降时间：11ns
1200v3a,KND42120A场效应管规格书
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