pd电源mos管,9a900v场效应管,KNF4890A参数中文资料-KIA MOS管
9a900v场效应管,KNF4890A参数引脚图
KNF4890A场效应管采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0A，低导通电阻RDS（ON）=1.2Ω，低栅极电荷，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，广泛应用于pc电源pd电源、适配器充电器、SMPS电源、LCD面板电源等领域；封装形式：TO-220F。
9a900v场效应管,KNF4890A参数
漏源电压：900V
漏极电流：9A
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：580MJ
最大功耗：67W
总栅极电荷：48nC
输入电容：2595PF
输出电容：145PF
开通延迟时间：36nS
关断延迟时间：136nS
上升时间：42ns
下降时间：48ns
9a900v场效应管,KNF4890A规格书
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