双极结型晶体管的结构特点,放大作用-KIA MOS管

双极结型晶体管结构特点

双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。

一个双极结型晶体管由三个不同的掺杂半导体区域组成，它们分别是发射极区域、基极区域和集电极区域。这些区域在NPN型晶体管中分别是N型、P型和N型半导体，而在PNP型晶体管中则分别是P型、N型和P型半导体。每一个半导体区域都有一个引脚端接出，通常用字母E、B和C来表示发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

双极结型晶体管是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。由于流入基极端子的小电流控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流。

这两种晶体管类型PNP和NPN的工作原理完全相同，唯一的区别在于它们的偏置和每种类型的电源极性。

下图给出了PNP和NPN双极晶体管的结构和电路符号，电路符号中的箭头始终表示基极端子和发射极端子之间“常规电流”的方向。对于两种晶体管类型，箭头的方向始终从正P型区域指向负N型区域，与标准二极管符号完全相同。

双极结型晶体管,结构,放大

双极结型晶体管的放大作用

双极结型晶体管，外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，主要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。

BJT由两个PN结组成，分别称为发射结和集电结。当BJT工作时，发射结正偏，集电结反偏，这使得电子和空穴能够在PN结处注入和扩散，形成电流放大效应。

双极结型晶体管,结构,放大