4703场效应管参数,保护板mos管,KPE4703A中文资料-KIA MOS管
4703场效应管参数,KPE4703A引脚图
KPE4703A场效应管漏源电压-30V，漏极电流-8A，导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，出色的RDS(ON)和低栅极电荷，有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率；KPE4703A采用先进的高单元密度沟道技术，使得器件能够在尺寸较小的情况下提供卓越的性能，能够在锂电池保护板、智能医疗设备应用中确保设备稳定可靠的运行；封装形式：SOP-8。
4703场效应管参数,KPE4703A
漏源电压：-30V
漏极电流：-8A
漏源通态电阻(RDS(on))：19mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-50A
雪崩能量单脉冲：96.8MJ
最大功耗：3.1W
输入电容：1310PF
输出电容：190PF
总栅极电荷：12.2nC
开通延迟时间：4.5nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：15ns
下降时间：19.4ns
4703场效应管参数,KPE4703A规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
