150N03场效应管,30v150a mos管,KNB2803B代换-KIA MOS管
150N03场效应管,KNB2803B参数引脚图
150N03场效应管代换型号KNB2803B漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽加工技术，极低的导通电阻RDS(on)为2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试、无铅，符合RoHS标准，节能环保；快速切换、改进的重复雪崩额定值，在锂电池保护板应用中高效稳定运行；封装形式：TO-263。
150N03场效应管,KNB2803B参数
漏源电压：30V
漏极电流：150A
漏源通态电阻：2.1mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：600A
单脉冲雪崩能量：625MJ
功率耗散：160W
总栅极电荷：90nC
输入电容：5060PF
输出电容：500PF
开通延迟时间：33nS
关断延迟时间：36nS
上升时间：60ns
下降时间：42ns
150N03场效应管,KNB2803B规格书
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