21n50参数及代换,大功率mos管,KIA20N50HF参数资料-KIA MOS管
21n50参数及代换,KIA20N50HF参数引脚图
21n50场效应管代换型号KIA20N50HF漏源击穿电压500V，漏极电流20A，低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷（典型值为70nC），减少导电损耗，最小化开关损耗；具备快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，稳定可靠；高效率低损耗，专为高压、高速功率开关应用设计，如高效开关电源、有源功率因数校正；封装形式：TO-220F。
21n50参数及代换,KIA20N50HF参数
漏源电压：500V
漏极电流：20A
漏源通态电阻：0.21Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：80A
单脉冲雪崩能量：1110MJ
功率耗散：41.5W
总栅极电荷：70nC
输入电容：2700PF
输出电容：400PF
开通延迟时间：100nS
关断延迟时间：100nS
上升时间：400ns
下降时间：100ns
21n50参数及代换,KIA20N50HF规格书
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