ao3415,-20V-4A mos管,KIA3415代换ao3415参数资料-KIA MOS管
ao3415,-20V-4A mos管,KIA3415
ao3415场效应管代换型号KIA3415漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；采用先进的高密度单元设计沟槽技术，极低RDS导通、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作、无铅产品，高效坚固可靠；适用于负载开关或PWM应用，充电头、玩具、蓝牙、感应灯等产品领域；封装形式：SOT-23。
RDS(on)<45mΩ(VGS=-4.5V,ID=-4.0A)
RDS(on)<54mΩ(VGS=-2.5V,ID=-2.5A)
RDS(on)<75mΩ(VGS=-1.8V,ID=-2.0A)
ao3415,-20V-4A mos管,KIA3415参数
工作方式：-4.0A/-16V
漏源电压：-16V
栅源电压：±8A
漏电流连续：-4.0A
脉冲漏极电流：30A
耗散功率：1.4W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：-16V
栅极阈值电压：-0.4V
输入电容：1450PF
输出电容：205PF
上升时间：17ns
ao3415,-20V-4A mos管,KIA3415规格书
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