6080场效应管,80a60v mos管,KNX3406A参数代换资料-KIA MOS管
80a60v mos管,KNX3406A参数引脚图
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低导通电阻RDS(on)6.5mΩ（典型值），能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩电流、无铅和绿色设备可用，稳定可靠；KNX3406A可以代换NCE6080场效应管在锂电池保护板、电源、DC-DC转换器中广泛应用，封装形式：DFN5*6、TO-252。
80a60v mos管,KNX3406A参数
漏源电压：60V
漏极电流：80A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：280A
雪崩能量单脉冲：225MJ
总功耗：84.5W
总栅极电荷：104nC
输入电容：6050PF
输出电容：170PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：13ns
下降时间：7.5ns
80a60v mos管,KNX3406A参数规格书
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