50n06场效应管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD资料-KIA MOS管
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60v50a,50n06场效应管参数引脚图
KIA50N06BD场效应管漏源电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(ON)10.5mΩ；具有低Rds开启，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；高雪崩电流，能够承受较高的电压脉冲，提高可靠性，确保在应用中高效稳定；无铅绿色环保，适用于适配器、开关电源、UPS电源、车载功放、电动工具中；封装形式：TO-252。
60v50a,50n06场效应管参数
漏流电压：60V
栅源电压（连续）：±25V
连续漏电流：50A
脉冲漏极电流：250A
雪崩能量：120A
功耗：88W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：60V
栅极阈值电压：3V
输入电容：2060 PF
输出电容：755 PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：13 ns
下降时间：7.5ns
60v50a,50n06场效应管规格书
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