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逆变器mos管,100a40vmos管,KNP3204A场效应管参数资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-12-11 

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逆变器mos管,100a40vmos管,KNP3204A场效应管参数资料-KIA MOS管


100a40vmos管,KNP3204A参数引脚图

逆变器专用MOS管KNP3204A漏源击穿电压40V, 漏极电流100A ,采用专有新型沟槽技术,超低导通电阻RDS(导通)4mΩ,低栅极电荷,能够最大限度地减少导通损耗,高效率低损耗;快速恢复体二极管,稳定可靠;适用于DCDC转换器、逆变器、电源应用,封装形式:TO-220。

100a40vmos管,KNP3204A

100a40vmos管,KNP3204A参数

漏源电压:40V

漏极电流:100A

栅源电压:±20V

阈值电压:2-4V

脉冲漏电流:480A

雪崩能量单脉冲:500MJ

功率耗散:250W

总栅极电荷:51nC

输入电容:3000PF

输出电容:425PF

开通延迟时间:15nS

关断延迟时间:75nS

上升时间:60ns

下降时间:40ns

100a40vmos管,KNP3204A规格书

100a40vmos管,KNP3204A

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