50n03,30v50amos,KIA50N03BD场效应管参数资料-KIA MOS管
30v50amos,KIA50N03BD参数引脚图
KIA50N03BD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，完全表征雪崩电压和电流，稳定可靠；低栅电荷、低反馈电容、开关速度快以及改进的dv/dt能力，在开关电源、电池管理、逆变器、驱动电机中应用表现出色，封装形式：TO-252。
30v50amos,KIA50N03BD参数
漏源电压：30V
漏极电流：50A
栅源电压：±20V
阈值电压：1.6V
脉冲漏电流：200A
单脉冲雪崩能量：85MJ
功率耗散：60W
总栅极电荷：25nC
输入电容：1200PF
输出电容：150PF
反向传输电容：115PF
开通延迟时间：4.6nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：35ns
下降时间：16ns
30v50amos,KIA50N03BD参数规格书
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