广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

应用领域

​3404场效应管,​80a40vmos,hy1804代换,​KND3404B参数-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2024-12-17 

分享到:

3404场效应管,80a40vmos,hy1804代换,KND3404B参数-KIA MOS管


hy1804代换,80a40vmos,KND3404B资料

hy1804场效应管代换型号KND3404B漏源击穿电压40V,漏极电流80A,采用先进的沟槽工艺技术,极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ,最大限度地减少导电损耗,具有优越的开关性能和很高的雪崩耐量,高效稳定;优秀的QgxRDS(on)产品(FOM),符合JEDEC标准,热销于锂电池保护板、电机控制和驱动、UPS不间断电源,封装形式:TO-252。

hy1804代换,80a40vmos,KND3404B

hy1804代换,80a40vmos,KND3404B参数

漏源电压:40V

漏极电流:80A

栅源电压:±20V

阈值电压:1.8V

脉冲漏电流:320A

单脉冲雪崩能量:225MJ

功率耗散:92W

总栅极电荷:47.5nC

输入电容:2300PF

输出电容:290PF

反向传输电容:150PF

开通延迟时间:9.5nS

关断延迟时间:55nS

上升时间:30ns

下降时间:17.5ns

hy1804代换,80a40vmos,KND3404B规格书

hy1804代换,80a40vmos,KND3404B

hy1804代换,80a40vmos,KND3404B


联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902


搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号

关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持

免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。