充电器mos管,500v5a场效应管,TO-252,KIA5N50HD参数-KIA MOS管
充电器mos管,500v5a场效应管,TO-252,KIA5N50HD参数-KIA MOS管
充电器mos管,KIA5N50HD参数引脚图
KIA5N50HD场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(on)=1.0Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗以及在峰值电流或脉冲宽度方面表现出卓越的性能，高效稳定，符合RoHS环保要求，专用于HD安定器、适配器、充电器和SMPS备用电源中，封装形式：TO-252。
充电器mos管,KIA5N50HD参数
漏源电压：500V
漏极电流：5A
栅源电压：±20V
阈值电压：2-4V
单脉冲雪崩能量：260MJ
功率耗散：100W
总栅极电荷：14nC
输入电容：525PF
输出电容：64PF
反向传输电容：12PF
开通延迟时间：9nS
关断延迟时间：30nS
上升时间：11ns
下降时间：16ns
充电器mos管,KIA5N50HD规格书
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