AD30P30D3替代,-30v-100a,电机驱动pmos,KPY3203D参数-KIA MOS管
AD30P30D3替代,-30v-100a,电机驱动pmos,KPY3203D参数-KIA MOS管
-30v-100a pmos,KPY3203D参数资料
KPY3203D场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-100A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(on)=3.5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降，高效稳定，绿色设备可用，符合环保要求，专用于电机控制和驱动、电动工具中；封装形式：DFN5x6，散热良好。
-30v-100a pmos,KPY3203D参数
漏源电压：-30V
漏极电流：-100A
栅源电压：±20V
阈值电压：-1.7V
脉冲漏电流：-400A
单脉冲雪崩能量：312MJ
功率耗散：62.5W
总栅极电荷：130nC
输入电容：7500PF
输出电容：1000PF
反向传输电容：900PF
开通延迟时间：22nS
关断延迟时间：110nS
上升时间：30ns
下降时间：40ns
-30v-100a pmos,KPY3203D规格书
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