开关电源mos,100v15a场效应管,KND6610A参数-KIA MOS管
100v15a场效应管,KND6610A资料
KND6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术，极低导通电阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，稳定可靠；还具有低crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，提高工作效率；适用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：TO-252。
100v15a场效应管,KND6610A参数
漏源电压：100V
漏极电流：15A
栅源电压：±20V
阈值电压：1.7V
脉冲漏电流：60A
单脉冲雪崩能量：3.5MJ
功率耗散：55W
总栅极电荷：19.2nC
输入电容：1073PF
输出电容：57PF
反向传输电容：31PF
开通延迟时间：12.6nS
关断延迟时间：32.5nS
上升时间：6ns
下降时间：4.3ns
100v15a场效应管,KND6610A规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
