可控硅触发电路,脉冲信号,电路原理图分享-KIA MOS管
可控硅触发电路-脉冲信号
为了降低栅极功率耗散，可控硅触发电路产生单个脉冲或一串脉冲，而不是连续的直流栅极信号，这可以精确控制可控硅SCR的触发点，此外，很容易在可控硅SCR和栅极触发电路之间提供电气隔离。
如果多个可控硅SCR从同一个源选通，则通过脉冲变压器或光耦合器进行电气隔离很重要，隔离还可以减少不需要的信号，例如瞬态噪声信号，这些信号可能会无意中触发敏感的SCR。
上图显示了使用单结晶体管(UJT)振荡器产生脉冲的最常见方法，该电路非常适合触发可控硅SCR。
它在B处提供一系列窄脉冲，当电容充电到UT的峰值电压(V_)时，UJT开启。这会在发射极–基极1结上放置一个低电阻，并且发射极电流流过脉冲变压器的初级，将栅极信号施加到可控硅SCR，可以通过增加C的值来增加输出信号的脉冲宽度。
该电路的一个困难是，由于脉冲宽度窄，在去除栅极信号之前可能无法获得锁存电流。不过一个RC缓冲电路可以用来消除这个问题。
上图所示电路的操作与此类似，通过使用R两端的输出来驱动与变压器初级串联的晶体管Q，可以改善脉冲的宽度和上升时间。
当来自UJT的脉冲施加到Q的基极时，晶体管饱和，并且电源电压V_被施加在初级两端，这会在脉冲变压器的次级感应出一个电压脉冲，该电压脉冲被施加到可控硅SCR。当脉冲到IQ的基极被移除时，它关闭。
由变压器中的塌陷磁场引起的电流在初级绕组上感应出一个相反极性的电压，二极管D在此期间为电流提供路径。
使用DIAC的类似电路（上图）在由RC时间常数确定的一段时间内为电容缓慢充电。在电容充电到等于DIAC的击穿电压的电压后，它会将DIAC切换到导通状态。
然后电容迅速放电到可控硅SCR的栅极端子，短暂的间隔后，DIAC关闭并重复循环。
这种安排需要相对较低的功率来从直流电源为电容充电，但它会在短时间内提供大功率以实现可靠的可控硅SCR开启，波形如下图所示。
下图中触发电路使用光耦合器在控制电路和负载之间实现电气隔离。
通过光耦合器触发还可以防止噪声或瞬变造成的错误触发，这种触发技术在固态继电器中特别流行。
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