电机驱动高压mos管,11a400v场效应管,KNF6140S参数-KIA MOS管
11a400v场效应管,KNF6140S资料
KNF6140S场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流11A，极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定可靠，提供卓越的开关性能；专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器；封装形式：TO-220F。
11a400v场效应管,KNF6140S参数
漏源电压：30V
漏极电流：50A
栅源电压：±30V
阈值电压：2-4V
脉冲漏电流：44A
单脉冲雪崩能量：365MJ
功率耗散：40.2W
总栅极电荷：15.7nC
输入电容：980PF
输出电容：140PF
反向传输电容：2.6PF
开通延迟时间：33.5nS
关断延迟时间：83nS
上升时间：31.5ns
下降时间：56ns
11a400v场效应管,KNF6140S规格书
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