单节锂电池保护,电池充放电,保护板电路图-KIA MOS管

锂电池保护板电路设计

1.接地侧，源极背靠背

背靠背连接，都是为了避免体二极管流过不必要的电流，如图所示，两个N沟道功率MOSFET的源极背靠背连接并放置在GND侧，这种结构很少用于PCM，但有时用于通信系统的负载开关和热插拔电路。

保护板,充放电,电路

功率MOSFET的源极背靠背连接

2.高压侧，漏极背靠背

如图电源端（高压侧）的两个N沟道功率MOSFET的充电和放电是一种常见的PCM方案，其漏极背靠背连接。 Q1是用于电池放电的功率MOSFET，Q2是用于电池充电的功率MOSFET。两个N沟道功率MOSFET放置在正端，因此需要两个充电泵来启用浮动驱动。

保护板,充放电,电路

高侧功率MOSFET，漏极背靠背连接

如图所示，放置在电源端（高压侧）的两个充电和放电N沟道功率MOSFET源极背靠背连接。两个N沟道功率MOSFET使用公共源极，因此需要充电泵来驱动。这种结构也用于负载开关。

保护板,充放电,电路

高端功率MOSFET，源极背靠背连接

3.大电流并联多个MOSFET

为了提高电子系统的使用时间和待机时间，电池的容量正在增加，例如3000mAh到5000mAh甚至更大。为了缩短充电时间和提高充电速度，通常采用快速充电，即通过更大的充电电流对电池充电，例如4A、5A、6A，甚至大到8A。这样一来PCM内部功率MOSFET的功耗非常高，温度也非常高。为了降低温度并确保功率MOSFET的可靠运行，可以并联使用两个或多个MOSFET，如图所示。

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