3406场效应管,60v80a,dfn5*6,KCY3406A参数资料-KIA MOS管
3406场效应管,60v80a,dfn5*6,KCY3406A参数资料-KIA MOS管
80a60v,KCY3406A场效应管参数引脚图
KCY3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，采用KIA的LVMOS工艺技术生产，低导通电阻RDS(on)=8.5mΩ，改进的工艺和电池结构经过特别定制，最大限度地降低导通电阻；具有低栅电荷、低反馈电容，降低功耗提高效率；开关速度快、改进的dvdt功能，稳定可靠；广泛应用于同步整流器、逆变器系统的电源管理，封装形式：DFN5*6。
80a60v,KCY3406A场效应管参数
漏源电压：60V
漏极电流：80A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：240A
雪崩能量单脉冲：81MJ
总功耗：63W
阈值电压：2.0V
总栅极电荷：16.8nC
输入电容：1065PF
输出电容：430PF
反向传输电容：22PF
开通延迟时间：8nS
关断延迟时间：19nS
上升时间：54ns
下降时间：8.8ns
80a60v,KCY3406A场效应管规格书
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