电源mos840参数,500v8a场效应管,KIA840SD资料规格书-KIA MOS管
500v8a场效应管,KIA840SD参数引脚图
KIA840SD场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低电阻、低栅极电荷，在开关过程中能够快速响应并提供稳定的电流输出；合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，稳定可靠；符合RoHS标准，绿色环保，适用于适配器、电视电源、SMPS电源以及液晶面板电源，封装形式：TO-252，体积小，散热良好。
500v8a场效应管,KIA840SD参数
漏源电压：500V
漏极电流：8A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
最大功耗：100W
阈值电压：3V
输入电容：960PF
输出电容：110PF
反向传输电容：10PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：17ns
下降时间：22ns
500v8a场效应管,KIA840SD规格书
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